Ofertą sprzedaży jest tranzystor FGH30S150P. Jest to tranzystor parametrami bardzo zbliżony do drogiego 30N140IHR

Szczegóły niżej

• Zamiennikiem dla tranzystora 30N140IHR mogą być modele takie jak między innymi:
• FGH30S150P
• H40R1353
• Przy wyborze zamiennika należy upewnić się, że jego kluczowe parametry, takie jak napięcie dren-źródło (VDS), prąd drenu (ID), rezystancja w stanie przewodzenia (RDS(on)) oraz obudowa, są zgodne z oryginalnym tranzystorem.

Szczegółowa analiza problemu

Kluczowe parametry tranzystora 30N140IHR:

1. Typ tranzystora: N-kanałowy MOSFET IGBT.
2. Napięcie dren-źródło (VDS): 1400 V.
3. Prąd drenu (ID): 30 A.
4. Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS(on)): 0.35 Ω.
5. Obudowa: TO-247.
6. Zastosowanie: Przetwornice, falowniki, płyty indukcyjne.

Kryteria doboru zamiennika:

• Napięcie dren-źródło (VDS): Zamiennik musi wytrzymać co najmniej 1400 V.
• Prąd drenu (ID): Powinien być równy lub większy niż 30 A.
• Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS(on)): Powinna być na poziomie oryginału lub niższa, aby zminimalizować straty mocy.
• Obudowa: TO-247 lub kompatybilna.
• Parametry dynamiczne: Należy uwzględnić ładunek bramki (Qg) i pojemności pasożytnicze (CISS, COSS), szczególnie w aplikacjach o wysokiej częstotliwości przełączania.

Propozycje zamienników:

1. H40R1353 (Infineon):

VDS: 1350 V.

ID: 40 A.

RDS(on): 0.33 Ω.

Obudowa: TO-247.

Wyższy prąd drenu i niższa rezystancja w stanie przewodzenia.

2. FGH30S150P (ON Semiconductor):

VDS: 1500 V.

ID: 30 A.

RDS(on): 0.40 Ω.

Obudowa: TO-247.

Wyższe napięcie dren-źródło, ale nieco wyższa rezystancja.