SI2301 A1SHB tranzystor MOSFET SMD SOT23

Tranzystor MOSFET SI2301

• Oznaczenie A1SHB
• Model SI2301
• Technologia: Si
• Styl mocowania: SMD/SMT
• Obudowa: SOT-23-3
• Montaż: Powierzchniowy SMD
• Polaryzacja tranzystora: P-Channel
• Liczba kanałów: 1 Channel
• Vds – Napięcie przebicia dren–źródło: 20 V
• Id – Ciągły prąd drenu: 2.8 A
• Rds On – rezystancja dren–źródło: 120 mOhms
• Vgs – Napięcie bramka–źródło: - 8 V, + 8 V
• Minimalna temperatura robocza: - 55 C
• Maksymalna temperatura robocza: + 150 C
• Pd – strata mocy: 1.25 W
• Tryb kanału: Enhancement
• Seria: SI2301
• Czas zanikania: 5 ns
• Produkt: MOSFET Small Signals
• Czas narastania: 5 ns
• Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 52 ns
• Typowy czas opóźnienia włączenia: 11 ns

Zdjęcie realne